Elektrooptischer Modulator von Rof, 1550 nm, Intensitätsmodulator der AM-Serie, 2,5 G

Kurzbeschreibung:

Der LiNbO3-Intensitätsmodulator wird aufgrund seiner guten elektrooptischen Leistung häufig in optischen Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen eingesetzt. Die R-AM-Serie basiert auf der MZ-Push-Pull-Struktur und dem X-Cut-Design und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften, die sowohl in Laborexperimenten als auch in industriellen Systemen eingesetzt werden können.

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Produktdetails

Rofea Optoelectronics bietet Produkte für optische und photonische elektrooptische Modulatoren an

Produkt-Tags

Besonderheit

* Geringe Einfügedämpfung
* Hohe Bandbreite
* Niedrige Halbwellenspannung
* Anpassungsoption

Elektrooptischer Modulator Elektrooptischer Modulator LiNbO3-Intensitätsmodulator MZM-Modulator Mach-Zehnder-Modulator LiNbO3-Modulator Lithiumniobat-Modulator

Anwendung

⚫ ROF-Systeme
⚫ Quantenschlüsselverteilung
⚫ Laser-Sensorsysteme
⚫ Seitenbandmodulation

Wellenlänge

⚫750 nm

⚫850 nm

⚫ 1064 nm

⚫ 1310 nm

⚫ 1550 nm

Bandbreite

⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz

R-AM-15-2,5G

Parameter				Symbol		Min	Typ	Max	Einheit
Optische Parameter
BetriebWellenlänge				l		1530	1550	1565	nm
Einfügedämpfung				IL			4	5	dB
Optische Rückflussdämpfung				ORL				-45	dB
Extinktionsverhältnis des Schalters @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Dynamisches Extinktionsverhältnis				DER			13		dB
Glasfaser	EingangHafen					Panda PM Fujikura SM
	AusgabeHafen					Panda PM Fujikura SM
Glasfaserschnittstelle						FC/PC, FC/APC Oder Benutzer zur Angabe
Elektrische Parameter
BetriebBandbreite（-3dB）					S₂₁	2.5	3		GHz
Halbwellenspannung Vpi		RF			@50KHz		4.5	5	V
		Bias			@Voreingenommenheit		6	7	V
ElektrischalRückflussverlust					S₁₁		-12	-10	dB
Eingangsimpedanz			RF		Z_RF	50			W
			Voreingenommenheit		Z_{VOREINGENOMMENHEIT}	1M			W
Elektrische Schnittstelle						SMA(f)

Grenzbedingungen

Parameter	Symbol	Einheit	Min	Typ	Max
Optische Eingangsleistung	P_in,Max	dBm			20
IHF-Eingangsleistung		dBm			28
Vorspannung	Vbias	V	-15		15
BetriebTemperatur	Spitze	℃	-10		60
Lagertemperatur	Tst	℃	-40		85
Luftfeuchtigkeit	RH	%	5		90

S21-Kurve

&S11 Kurve

S21&s11-Kurven

Mechanisches Diagramm

HAFEN	Symbol	Notiz
In	OOptischer Eingangsanschluss	PM-Faser (125 μm/250 μm)
Aus	OOptischer Ausgangsanschluss	PM Faser(125μm/250μm)
RF	RF-Eingangsport	SMA(f)/ K(f) / V(f)
Voreingenommenheit	Bias-Kontrollanschluss	1,2 Voreingenommenheit, 3-PD-Kathode, 4-PD-Anode

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Rofea Optoelectronics bietet eine Produktlinie kommerzieller elektrooptischer Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Laser, optischer Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulation, Pulslaser, Lichtdetektoren, symmetrischer Fotodetektoren und Lasertreiber , Glasfaserverstärker, optischer Leistungsmesser, Breitbandlaser, abstimmbarer Laser, optischer Detektor, Laserdiodentreiber, Faserverstärker. Wir bieten auch viele spezielle Modulatoren zur individuellen Anpassung an, z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedrigem Vpi und extrem hohem Extinktionsverhältnis, die hauptsächlich in Universitäten und Instituten verwendet werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung hilfreich sein werden.