Serie elektrooptischer Modulatoren

  • Rof TFLN Modulator 110G Intensitätsmodulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator

    Rof TFLN Modulator 110G Intensitätsmodulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator

    Der Dünnschicht-Lithiumniobat-Intensitätsmodulator mit ultrahoher Bandbreite ist ein von unserem Unternehmen eigenständig entwickeltes und geschütztes Hochleistungs-Elektrooptik-Wandlerbauelement. Dank hochpräziser Kopplungstechnologie erreicht dieses Produkt eine maximale elektrooptische Bandbreite von 3 dB und eine elektrooptische Modulationsrate von 110 GHz. Im Vergleich zu herkömmlichen Lithiumniobat-Kristallmodulatoren zeichnet sich dieses Produkt durch eine niedrige Halbwellenspannung und hohe Stabilität aus.

    Die Eigenschaften der geringen Gerätegröße und der thermooptischen Vorspannungssteuerung können in großem Umfang in der digitalen optischen Kommunikation, der Mikrowellenphotonik und Backbone-Kommunikationsnetzen sowie in Bereichen wie kommunikationsbezogenen wissenschaftlichen Forschungsprojekten eingesetzt werden.

  • Rof TFLN Modulator 70G Intensitätsmodulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator

    Rof TFLN Modulator 70G Intensitätsmodulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator

    Der Intensitätsmodulator R-TFLN-70G mit extrem hoher Bandbreite ist ein leistungsstarkes elektrooptisches Wandlerbauelement. Dank hochpräziser Kopplungstechnologie erreicht er eine elektrooptische Bandbreite von 3 dB und eine maximale elektrooptische Modulationsrate von bis zu 70 GHz. Im Vergleich zu herkömmlichen Lithiumniobat-Quarzmodulatoren zeichnet er sich durch niedrige Halbwellenspannung, hohe Stabilität, geringe Größe sowie thermische und optische Vorspannungssteuerung aus. Er findet breite Anwendung in Bereichen wie digitaler optischer Kommunikation, Mikrowellenphotonik, Backbone-Kommunikationsnetzen und Kommunikationsforschungsprojekten.

  • Rof Elektrooptischer Intensitätsmodulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator 25G TFLN-Modulator

    Rof Elektrooptischer Intensitätsmodulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator 25G TFLN-Modulator

    Der 25G TFLN-Modulator, ein Dünnschicht-Lithiumniobat-Intensitätsmodulator, ist ein von unserem Unternehmen eigenständig entwickeltes, leistungsstarkes elektrooptisches Wandlerbauelement mit umfassenden Schutzrechten. Dank hochpräziser Kopplungstechnologie erzielt das Produkt eine extrem hohe elektrooptische Wandlungseffizienz. Im Vergleich zu herkömmlichen Lithiumniobat-Kristallmodulatoren zeichnet sich dieses Produkt durch niedrige Halbwellenspannung, hohe Stabilität, geringe Größe und thermooptische Vorspannungssteuerung aus und findet breite Anwendung in der digitalen optischen Kommunikation, der Mikrowellenphotonik, in Backbone-Kommunikationsnetzen und in Kommunikationsforschungsprojekten.

  • Rof Elektrooptischer Modulator 1064nm Eo Modulator LiNbO3 Phasenmodulator 2G

    Rof Elektrooptischer Modulator 1064nm Eo Modulator LiNbO3 Phasenmodulator 2G

    Der LiNbO3-Phasenmodulator findet aufgrund seiner guten elektrooptischen Eigenschaften breite Anwendung in optischen Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen. Die auf Ti-Diffusion und APE-Technologie basierende R-PM-Serie zeichnet sich durch stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus und erfüllt die Anforderungen der meisten Anwendungen in Laborexperimenten und industriellen Systemen.

  • Rof Elektrooptischer Modulator Eo Modulator 300MHz 1064nm LiNbO3 Phasenmodulator

    Rof Elektrooptischer Modulator Eo Modulator 300MHz 1064nm LiNbO3 Phasenmodulator

    Der LiNbO3-Phasenmodulator findet aufgrund seiner guten elektrooptischen Eigenschaften breite Anwendung in optischen Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen. Die auf Ti-Diffusion und APE-Technologie basierende R-PM-Serie zeichnet sich durch stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus und erfüllt die Anforderungen der meisten Anwendungen in Laborexperimenten und industriellen Systemen.

  • Optischer Modulator Rof 780nm elektrooptischer Phasenmodulator 10G EO-Modulator

    Optischer Modulator Rof 780nm elektrooptischer Phasenmodulator 10G EO-Modulator

    Der elektrooptische Phasenmodulator der ROF-PM-Serie mit 780 nm Lithiumniobat nutzt eine fortschrittliche Protonenaustauschtechnologie und zeichnet sich durch geringe Einfügungsdämpfung, hohe Modulationsbandbreite, niedrige Halbwellenspannung und weitere Merkmale aus. Er wird hauptsächlich in optischen Weltraumkommunikationssystemen, Cäsium-Atomzeitreferenzen, Spektrumverbreiterung, Interferometrie und anderen Bereichen eingesetzt.

  • Rof Elektrooptischer Modulator 850nm Phasenmodulator 10G

    Rof Elektrooptischer Modulator 850nm Phasenmodulator 10G

    Der LiNbO3-Phasenmodulator findet aufgrund seiner guten elektrooptischen Eigenschaften breite Anwendung in optischen Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen. Die auf Ti-Diffusion und APE-Technologie basierende R-PM-Serie zeichnet sich durch stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus und erfüllt die Anforderungen der meisten Anwendungen in Laborexperimenten und industriellen Systemen.

  • Rof Elektrooptischer Modulator 1550nm Phasenmodulator 10G linbo3 Modulator

    Rof Elektrooptischer Modulator 1550nm Phasenmodulator 10G linbo3 Modulator

    Der LiNbO3-Phasenmodulator (LiNbO3-Modulator) findet aufgrund seiner guten elektrooptischen Eigenschaften breite Anwendung in optischen Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen. Die auf Ti-Diffusion und APE-Technologie basierende R-PM-Serie zeichnet sich durch stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus und erfüllt die Anforderungen der meisten Anwendungen in Laborexperimenten und industriellen Systemen.

  • Rof Elektrooptischer Modulator 1550nm Phasenmodulator 40G Lithiumniobat-Modulator

    Rof Elektrooptischer Modulator 1550nm Phasenmodulator 40G Lithiumniobat-Modulator

    Der auf dem Titandiffusionsprozess basierende elektrooptische Lithiumniobat-Phasenmodulator (Lithiumniobat-Modulator) zeichnet sich durch geringe Einfügungsdämpfung, hohe Modulationsbandbreite, niedrige Halbwellenspannung, hohe optische Schadensleistung usw. aus. Er wird hauptsächlich in den Bereichen optische Chirp-Kontrolle in optischen Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen, Phasenverschiebung in kohärenten Kommunikationssystemen, Erzeugung von Seitenbändern in ROF-Systemen und Reduzierung der stimulierten Brillouin-Streuung (SBS) in analogen optischen Faserkommunikationssystemen eingesetzt.

  • Rof Elektrooptischer Modulator 1064nm Eo Modulator Phasenmodulator 10G

    Rof Elektrooptischer Modulator 1064nm Eo Modulator Phasenmodulator 10G

    Der LiNbO3-Phasenmodulator findet aufgrund seiner guten elektrooptischen Eigenschaften breite Anwendung in optischen Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen. Die R-PM-Serie basiert auf Ti-diffundiertem und APE.

    Die Technologie verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften, die den Anforderungen der meisten Anwendungen in Laborexperimenten und industriellen Systemen gerecht werden.

  • ROF-EOM-Modulator, elektrooptischer Modulator, Phasenmodulator mit niedriger Vpi-Spannung

    ROF-EOM-Modulator, elektrooptischer Modulator, Phasenmodulator mit niedriger Vpi-Spannung

    Die Low-Vpi-Phasenmodulatoren der ROF-PM-UV-Serie zeichnen sich durch eine niedrige Halbwellenspannung (2,5 V), geringe Einfügungsdämpfung, hohe Bandbreite und hohe Schadensresistenz der optischen Leistung aus. Sie werden hauptsächlich zur Lichtsteuerung, Phasenverschiebung in kohärenten Kommunikationssystemen, Seitenband-ROF-Systemen und zur Reduzierung der Simulation von Glasfaserkommunikationssystemen in Brisbane Deep Stimulated Scattering (SBS) usw. eingesetzt.

  • Rof Elektrooptischer Modulator LiNbO3 MIOC Serie Y-Wellenleitermodulator

    Rof Elektrooptischer Modulator LiNbO3 MIOC Serie Y-Wellenleitermodulator

    Der Y-Wellenleitermodulator der R-MIOC-Serie ist ein multifunktionaler integrierter optischer Schaltkreis (LiNbO3-MIOC) auf Basis mikroelektronischer Technologie. Er ermöglicht Polarisation und Analyse, Strahlteilung und -kombination, Phasenmodulation und weitere Funktionen. Die Wellenleiter und Elektroden sind auf einem LiNbO3-Chip gefertigt, die Ausgangs- und Eingangsfasern präzise mit den Wellenleitern gekoppelt. Anschließend wird der gesamte Chip in einem vergoldeten Kovar-Gehäuse verkapselt, um optimale Leistung und hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

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