Rof TFLN Modulator 110G Intensitätsmodulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator

Kurzbeschreibung:

Der Dünnschicht-Lithiumniobat-Intensitätsmodulator mit ultrahoher Bandbreite ist ein von unserem Unternehmen eigenständig entwickeltes und geschütztes Hochleistungs-Elektrooptik-Wandlerbauelement. Dank hochpräziser Kopplungstechnologie erreicht dieses Produkt eine maximale elektrooptische Bandbreite von 3 dB und eine elektrooptische Modulationsrate von 110 GHz. Im Vergleich zu herkömmlichen Lithiumniobat-Kristallmodulatoren zeichnet sich dieses Produkt durch eine niedrige Halbwellenspannung und hohe Stabilität aus.

Die Eigenschaften der geringen Gerätegröße und der thermooptischen Vorspannungssteuerung können in großem Umfang in der digitalen optischen Kommunikation, der Mikrowellenphotonik und Backbone-Kommunikationsnetzen sowie in Bereichen wie kommunikationsbezogenen wissenschaftlichen Forschungsprojekten eingesetzt werden.


Produktdetails

Rofea Optoelectronics bietet optische und photonische elektrooptische Modulatoren an.

Produkt-Tags

Besonderheit

■ Die Hochfrequenzbandbreite kann maximal 110 GHz erreichen.

■ Niedrige Halbwellenspannung

■ Die Einfügungsdämpfung beträgt nur 5 dB

■ Kleine Gerätegröße

Rof EOM Intensitätsmodulator 20G Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator TFLN-Modulator

Parameter C-Band

* anpassbar

** Hohes Extinktionsverhältnis (> 25 dB) kann individuell angepasst werden.

CKategorie

PAramämeter

Symbol

Einheit

Indikator

 

Optische Leistung (bei 25 °C)

Arbeitswellenlänge (*) λ nm ~1550
Optisches Extinktionsverhältnis (@ DC) (**) ER dB ≥ 20
Optische Rückflussdämpfung ORL dB ≤ -27
Optische Einfügungsdämpfung IL dB Maximalwert: 6

Typischer Wert: 5

 

 

Elektrische Leistung (bei 25 °C)

3 dB elektrooptische Bandbreite (ab 2 GHz)  

S21

GHz Maximalwert:100

Typischer Wert:105

Hochfrequenz-Halbwellenspannung (bei 50 kHz) Vπ V ≤ 4
Wärmemodulierte Vorspannung Halbwellenleistung mW ≤ 50
Hochfrequenz-Rückflussdämpfung S11 dB ≤ -10
Arbeitsbedingungen Betriebstemperatur (* TO °C -20 bis 70

Schadensschwelle

Wird die maximale Schadensschwelle überschritten, entstehen irreversible Schäden am Gerät, die nicht vom Wartungsservice abgedeckt sind.

PAramämeter

Symbol

Min

Max

Einheit

HF-Eingangsleistung Sünde - 18 dBm
HF-Eingangsspannung Vpp -2,5 +2,5 V
Effektivwert der HF-Eingangsspannung Vrms - 1,78 V
Optische Eingangsleistung Stift - 20 dBm
Thermische Vorspannung Uheater - 4,5 V
Thermischer Vorspannungsstrom Heizung - 50 mA
Lagertemperatur TS -40 85
Relative Luftfeuchtigkeit (keine Kondensation) RH 5 90

Gehäuseabmessungen und Pinbelegung (Einheit: mm)

Hinweis: Unmarkierte Größe ± 0,15 mm;

Die mit REF. gekennzeichneten Daten sind lediglich Referenzwerte.

N Symbol

DBeschreibung

1 -

undefiniert

2 -

undefiniert

3 Heizung

Thermostatische Vorspannungselektrode

4 Heizung

Thermostatische Vorspannungselektrode

5 MPD0+

Modulator-Ausgangslichtüberwachung PD-Anode

6 MPD0-

Modulator-Ausgangslichtüberwachung PD-Kathode

RF

HF-Anschluss

1,0 mm K-Stecker

In

eingehende Glasfaser

FC/APC, PMF
Aus

Ausgehende Glasfaser

FC/APC, PMF

* Anpassbarer 1,85-mm-Stecker oder J-Stecker.


S21-Testprobe

Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD)

Dieses Produkt enthält eine ESD-empfindliche Komponente (MPD) und sollte daher unter Einhaltung der erforderlichen ESD-Schutzmaßnahmen verwendet werden.

Bestellinformationen

 

Teilenummer: R-TFLN-110G-XX-XX-XX

Produktbeschreibung: 110 GHz C-Band Dünnschicht-Lithiumniobat-Intensitätsmodulator.

 

To purchase this product, inquire about lead times or specific customization options, please contact the Sales Manager or email to: bjrofoc@rof-oc.com

Über uns

Bei Rofea Optoelectronics bieten wir Ihnen eine vielfältige Auswahl an elektrooptischen Produkten, die Ihren Bedürfnissen gerecht werden, darunter kommerzielle Modulatoren, Laserquellen, Fotodetektoren, optische Verstärker und vieles mehr.
Unsere Produktpalette zeichnet sich durch hervorragende Leistung, hohe Effizienz und Vielseitigkeit aus. Wir sind stolz darauf, individuelle Anpassungsmöglichkeiten anzubieten, um besonderen Kundenwünschen gerecht zu werden, spezifische Spezifikationen einzuhalten und unseren Kunden einen außergewöhnlichen Service zu bieten.
Wir sind stolz darauf, 2016 als Pekinger Hightech-Unternehmen ausgezeichnet worden zu sein, und unsere zahlreichen Patentzertifikate belegen unsere Stärke in der Branche. Unsere Produkte erfreuen sich sowohl im Inland als auch international großer Beliebtheit, und unsere Kunden loben ihre gleichbleibend hohe Qualität.
Auf dem Weg in eine Zukunft, die von der photoelektrischen Technologie geprägt sein wird, streben wir danach, Ihnen den bestmöglichen Service zu bieten und gemeinsam mit Ihnen innovative Produkte zu entwickeln. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Ihnen!


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  • Rofea Optoelectronics bietet eine breite Produktpalette an kommerziellen elektrooptischen Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulatoren, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Faseroptikverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Faserverstärkern. Darüber hinaus bieten wir zahlreiche kundenspezifische Modulatoren an, wie beispielsweise 1x4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Eingangsspannung (Vpi) und Modulatoren mit extrem hohem Extinktionsverhältnis, die vorwiegend in Universitäten und Forschungseinrichtungen eingesetzt werden.
    Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung von Nutzen sein werden.

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