Rof-Intensitätsmodulator, Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator, 20G TFLN-Modulator

Kurzbeschreibung:

Der elektrooptische Intensitätsmodulator der Serie ROF-TFLN-20G basiert auf Dünnschicht-Lithiumniobat-Wellenleitertechnologie und einer MZ-Push-Pull-Struktur und zeichnet sich durch niedrige Halbwellenspannung und hohe Betriebsbandbreite aus. Die Vorspannung (DC) wird thermisch geregelt, wodurch Temperaturdrift deutlich reduziert und ein stabiler Betrieb über lange Zeiträume in jedem Betriebspunkt gewährleistet wird. Im Vergleich zu Bulk-Modulatoren bietet er ein kleineres Volumen, einen geringeren Stromverbrauch und eine höhere Stabilität.


Produktdetails

Rofea Optoelectronics bietet optische und photonische elektrooptische Modulatoren an.

Produkt-Tags

Besonderheit

 

l Extinktionsverhältnis > 25 dB (typischer Wert 30 dB)

Hohe Stabilität

l Hohe Modulationsbandbreite

l Niedrige Halbwellenspannung

 

Anwendung

l Mikrowellenphotonen

Hochgeschwindigkeits-Optikkommunikation

l Quantenkommunikation

Rof EOM Intensitätsmodulator 20G Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator TFLN-Modulator

Parameter

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Einheit

optische Parameter
Arbeitswellenlänge

l

1525

1565

nm

Einfügungsdämpfung

IL

4,5

5,5

dB

Optische Rückflussdämpfung

ORL

-25

dB

Auslöschungsverhältnis des Schalters bei Gleichstrom

ER@DC

25

30

dB

optische Faser Eingangsanschluss

Panda PM1550

Ausgabeende

Panda PM1550

Glasfaserschnittstelle

FC/PCFC/APC oder benutzerdefiniert

Elektrische Parameter
Arbeitsbandbreite (-3dB)

S21

20

25

GHz

HF-Halbwellenspannung Vpi

Vπ@1GHz

3,5

V

Voreingenommene Halbwellenleistung Ppi

Pπ@Bias

45

50

mW

Maximale Eingangsspannung am Vorspannungsanschluss

8

V

Elektrischer Rückflussverlust

S11

-12

-10

dB

HF-Eingangsimpedanz

ZRF

50

W

Elektrische Schnittstelle 2,92 mm weiblich

Extreme Bedingungen

PAramämeter

Symbol

Einheit

Min

Typ

Max

Optische Eingangsleistung bei 1550 nm

Pin,Max

dBm

20

HF-Eingangsleistung

dBm

23

Vorspannung am Ende

Vbias

V

0

8

Betriebstemperatur

Spitze

°C

-10

60

Lagertemperatur

Tst

°C

-40

85

Luftfeuchtigkeit

RH

%

5

90

 

Verpackungsgröße (mm)

 

 

Charakteristische Kurve

 

 

Bestellinformationen

Dünnschicht-Lithiumniobat-20-GHz-Intensitätsmodulator

ROF TFLN XX XX XX
Dünnschicht-Lithiumniobat-Intensitätsmodulator Betriebsbandbreite20G---20GHz Eingangs-/Ausgangs-GlasfaserPP---PMF-PMF VerbindungFA---FC/APCFP---FC/PCSP---benutzerdefiniert

  • Vorherige:
  • Nächste:

  • Rofea Optoelectronics bietet eine breite Produktpalette an kommerziellen elektrooptischen Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulatoren, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Faseroptikverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Faserverstärkern. Darüber hinaus bieten wir zahlreiche kundenspezifische Modulatoren an, wie beispielsweise 1x4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Eingangsspannung (Vpi) und Modulatoren mit extrem hohem Extinktionsverhältnis, die vorwiegend in Universitäten und Forschungseinrichtungen eingesetzt werden.
    Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung von Nutzen sein werden.

    Verwandte Produkte