Rof EOM-Modulator, Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator, 40G-Phasenmodulator
Besonderheit
■ HF-Bandbreite bis zu 20/40 GHz
■ Halbwellenspannung niedrig bis 3 V
■ Einfügungsdämpfung bis zu 4,5 dB
■ Kleine Gerätegröße
Parameter
| Kategorie | Argument | Sym | Uni | Aointer | |
|
Optische Leistung (@25°C)
| Betriebswellenlänge (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Optische Rückflussdämpfung
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Optische Einfügungsdämpfung (*) | IL | dB | MAX: 5,5 Typ: 4,5 | ||
| Elektrische Eigenschaften (bei 25 °C)
| 3 dB elektrooptische Bandbreite (ab 2 GHz) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MIN：18 Typ: 20 | MIN：36 Typ: 40 | ||||
| HF-Halbwellenspannung (bei 50 kHz)
| Vπ | V | MAX: 3,5 Typ：3.0 | ||
| HF-Rückflussdämpfung (2 GHz bis 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Funktionszustand
| Betriebstemperatur | TO | °C | -20 bis 70 | |
* anpassbar
Schadensschwelle
| Argument | Sym | Wählbar | MIN | MAX | Uni |
| HF-Eingangsleistung | Sünde | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| HF-Eingangsspannung | Vpp | X2: 4 | -2,5 | +2,5 | V |
| X2: 5 | -8,9 | +8,9 | |||
| HF-Eingangs-Effektivspannung | Vrms | X2: 4 | - | 1,78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Lagertemperatur | Stift | - | - | 20 | dBm |
| Optische Eingangsleistung | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Relative Luftfeuchtigkeit (keine Kondensation) | RH | - | 5 | 90 | % |
Wird die maximale Schadensschwelle überschritten, entstehen irreversible Schäden am Gerät, die nicht vom Wartungsservice abgedeckt sind.
S21-Testmuster (typischer Wert: 40 GHz)
S21&S11
Bestellinformationen
Dünnschicht-Lithiumniobat-Phasenmodulator 20 GHz/40 GHz
| wählbar | Beschreibung | wählbar |
| X1 | 3 dB elektrooptische Bandbreite | 2 oder 4 |
| X2 | Maximale HF-Eingangsleistung | 4 oder 5
|
Über uns
Rofea Optoelectronics bietet eine Reihe von kommerziellen Produkten an, darunter elektrooptische Modulatoren, Phasenmodulatoren, Fotodetektoren, Laserquellen, DFB-Laser, optische Verstärker, EDFAs, SLD-Laser, QPSK-Modulation, gepulste Laser, Fotodetektoren, symmetrische Fotodetektoren, Halbleiterlaser, Lasertreiber, Faserkoppler, gepulste Laser, Faserverstärker, optische Leistungsmesser, Breitbandlaser, abstimmbare Laser, optische Verzögerungsleitungen, elektrooptische Modulatoren, optische Detektoren, Laserdiodentreiber, Faserverstärker, Erbium-dotierte Faserverstärker und Laserlichtquellen.
Der LiNbO3-Phasenmodulator findet aufgrund seiner guten elektrooptischen Eigenschaften breite Anwendung in optischen Hochgeschwindigkeits-Kommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen. Die auf Ti-Diffusion und APE-Technologie basierende R-PM-Serie zeichnet sich durch stabile physikalische und chemische Eigenschaften aus und erfüllt die Anforderungen der meisten Anwendungen in Laborexperimenten und industriellen Systemen.
Rofea Optoelectronics bietet eine breite Produktpalette an kommerziellen elektrooptischen Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulatoren, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Faseroptikverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Faserverstärkern. Darüber hinaus bieten wir zahlreiche kundenspezifische Modulatoren an, wie beispielsweise 1x4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Eingangsspannung (Vpi) und Modulatoren mit extrem hohem Extinktionsverhältnis, die vorwiegend in Universitäten und Forschungseinrichtungen eingesetzt werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung von Nutzen sein werden.
