Rof EOM-Modulator Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator 40G-Phasenmodulator
Besonderheit
■ HF-Bandbreite bis zu 20/40 GHz
■ Halbwellenspannung niedrig bis 3 V
■ Einfügungsverlust von nur 4,5 dB
■ Kleine Gerätegröße
Parameter
| Kategorie | Argument | Sym | Uni | Aointer | |
|
Optische Leistung (bei 25 °C)
| Betriebswellenlänge (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Optische Rückflussdämpfung
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Optische Einfügungsdämpfung (*) | IL | dB | MAX: 5,5 Typ: 4.5 | ||
| Elektrische Eigenschaften (@25°C)
| 3 dB elektrooptische Bandbreite (ab 2 GHz | Staffel 21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MIN: 18 Typ: 20 | MIN: 36 Typ: 40 | ||||
| HF-Halbwellenspannung (@50 kHz)
| Vπ | V | MAX: 3,5 Typ: 3.0 | ||
| HF-Rückflussdämpfung (2 GHz bis 40 GHz)
| Staffel 11 | dB | ≤ -10 | ||
| Betriebszustand
| Betriebstemperatur | TO | °C | -20 bis 70 °C | |
* anpassbar
Schadensschwelle
| Argument | Sym | Wählbar | MIN | MAX | Uni |
| HF-Eingangsleistung | Sünde | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| HF-Eingangsspannungshub | Vpp | X2: 4 | -2,5 | +2,5 | V |
| X2: 5 | -8,9 | +8,9 | |||
| Effektivspannung des HF-Eingangs | Vrms | X2: 4 | - | 1,78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Lagertemperatur | Stift | - | - | 20 | dBm |
| Optische Eingangsleistung | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Relative Luftfeuchtigkeit (keine Kondensation) | RH | - | 5 | 90 | % |
Wenn das Gerät die maximale Schadensschwelle überschreitet, kommt es zu irreversiblen Schäden am Gerät und diese Art von Geräteschäden wird nicht durch den Wartungsservice abgedeckt.
S21-Testmuster (40 GHz typischer Wert)
S21&Staffel 11
Bestellinformationen
Dünnschicht-Lithiumniobat-Phasenmodulator mit 20 GHz/40 GHz
| wählbar | Beschreibung | wählbar |
| X1 | 3 dB elektrooptische Bandbreite | 2 oder 4 |
| X2 | Maximale HF-Eingangsleistung | 4 oder 5
|
Über uns
Rofea Optoelectronics bietet eine Reihe kommerzieller Produkte an, darunter elektrooptische Modulatoren, Phasenmodulatoren, Fotodetektoren, Laserquellen, DFB-Laser, optische Verstärker, EDFAs, SLD-Laser, QPSK-Modulation, gepulste Laser, Fotodetektoren, symmetrische Fotodetektoren, Halbleiterlaser, Lasertreiber, Faserkoppler, gepulste Laser, Faserverstärker, optische Leistungsmesser, Breitbandlaser, abstimmbare Laser, optische Verzögerungsleitungen, elektrooptische Modulatoren, optische Detektoren, Laserdiodentreiber, Faserverstärker, erbiumdotierte Faserverstärker und Laserlichtquellen.
Der LiNbO3-Phasenmodulator wird aufgrund seines guten elektrooptischen Effekts häufig in optischen Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen, Lasersensoren und ROF-Systemen eingesetzt. Die R-PM-Serie basiert auf Ti-Diffusions- und APE-Technologie und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften, die den Anforderungen der meisten Anwendungen in Laborexperimenten und industriellen Systemen gerecht werden.
Rofea Optoelectronics bietet eine Produktlinie kommerzieller elektrooptischer Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulation, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Glasfaserverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Glasfaserverstärkern. Wir bieten außerdem viele spezielle Modulatoren zur individuellen Anpassung an, wie z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit ultraniedrigem VPI und ultrahohem Extinktionsverhältnis, die hauptsächlich in Universitäten und Instituten eingesetzt werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung hilfreich sein werden.
