Rof Elektrooptischer Modulator 1550 nm LiNbO3 Intensitätsmodulator 50G
Besonderheit
* Geringe Einfügungsdämpfung
* Hohe Bandbreite
* Niedrige Halbwellenspannung
* Anpassungsoption

Anwendung
⚫ ROF-Systeme
⚫ Quantenschlüsselverteilung
⚫ Lasersensorsysteme
⚫ Seitenbandmodulation
Rof-AM-Serie | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
Betriebswellenlänge | 780 nm | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm | 1550 nm | |||
Bandbreite | 10 GHz | 10 GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10 GHz | 20 GHz | 40 GHz |
Einfügungsverlust | <5 dB | <5 dB | <5 dB | <5 dB | <4 dB | |||
Extinktionsverhältnis @DC | >20 dB | >20 dB | >20 dB | >20 dB | >20 dB | |||
VΠ @RF (1 kHz) | <3 V | <3 V | <4 V | <3,5 V | <6V | <5 V | ||
VΠ @Voreingenommenheit | <3.5V | <3.5V | <5 V | <5 V | <8 V | <7 V |
Bestellinformationen
Rof | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
Typ: AM --- Intensitätsmodulator | Wellenlänge: 07–780 nm 08---850 nm 10---1060 nm 13---1310 nm 15---1550 nm | Bandbreite: 10 GHz 20 GHz 40 GHz 50 GHz
| Monitor PD:PD---Mit PD 00 --- Keine PD | Ein-/Ausgangsfasertyp: PP---PM/PM
| Optischer Anschluss: FA---FC/APC FP---FC/PC SP---Anpassung |
R-AM-15-50G
Wellenlänge 1550 nm 50 GHz Intensitätsmodulator
Parameter | Symbol | Mindest | Typ | Max | Einheit | ||||
Optische Parameter | |||||||||
Betriebswellenlänge | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
Einfügungsverlust | IL | 4 | 5 | dB | |||||
Optische Rückflussdämpfung | ORL | -45 | dB | ||||||
Schalterlöschverhältnis @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
Dynamisches Extinktionsverhältnis | DER | 13 | dB | ||||||
Glasfaser | EingangHafen | Panda PM Fujikura SM | |||||||
Ausgangsanschluss | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
Glasfaserschnittstelle | FC/PC, FC/APC oder vom Benutzer anzugeben | ||||||||
Elektrische Parameter | |||||||||
Betriebsbandbreite(-3dB) | S21 | 35 | 40 | GHz | |||||
Halbwellenspannung Vpi | RF | @50KHz |
| 5 | 6 | V | |||
Voreingenommenheit | @Voreingenommenheit |
| 7 | 8 | V | ||||
Elektrische Rückflussdämpfung | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
Eingangsimpedanz | RF | ZRF | 50 | W | |||||
Voreingenommenheit | ZVOREINGENOMMENHEIT | 1M | W | ||||||
Elektrische Schnittstelle | V(F) |
Randbedingungen
Parameter | Symbol | Einheit | Mindest | Typ | Max |
Optische Eingangsleistung | Pin,Max | dBm | 20 | ||
HF-Eingangsleistung | dBm | 28 | |||
Vorspannung | Vbias | V | -15 | 15 | |
Betriebstemperatur | Spitze | ℃ | -10 | 60 | |
Lagertemperatur | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
Luftfeuchtigkeit | RH | % | 5 | 90 |
S21 Kurve

&S11 Kurve

S21&s11 Kurven
Mechanisches Diagramm

HAFEN | Symbol | Notiz |
In | Optischer Eingangsanschluss | PM-Faser (125 μm/250 μm) |
Aus | Optischer Ausgangsanschluss | PM- und SMF-Option |
RF | HF-Eingangsanschluss | SMA(f) |
Voreingenommenheit | Bias-Steueranschluss | 1,2 Bias, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics bietet eine Produktlinie kommerzieller elektrooptischer Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulation, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Glasfaserverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Glasfaserverstärkern. Wir bieten außerdem viele spezielle Modulatoren zur individuellen Anpassung an, wie z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit ultraniedrigem VPI und ultrahohem Extinktionsverhältnis, die hauptsächlich in Universitäten und Instituten eingesetzt werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung hilfreich sein werden.