Rof Elektrooptischer Modulator 780 nm LiNbO3 Intensitätsmodulator 10G
Besonderheit
* Geringe Einfügedämpfung
* Hohe Bandbreite
* Niedrige Halbwellenspannung
* Anpassungsoption
Anwendung
⚫ ROF-Systeme
⚫ Quantenschlüsselverteilung
⚫ Laser-Sensorsysteme
⚫ Seitenbandmodulation
Rof-AM-Serie | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
Betriebswellenlänge | 780 nm | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm | 1550 nm | |||
Bandbreite | 10 GHz | 10 GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10 GHz | 20 GHz | 40 GHz |
Einfügedämpfung | <5dB | <5dB | <5dB | <5dB | <4dB | |||
Extinktionsverhältnis @DC | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | |||
VΠ @RF (1KHz) | <3V | <3V | <4V | <3,5 V | <6V | <5V | ||
VΠ @Voreingenommenheit | <3.5V | <3.5V | <5V | <5V | <8V | <7V |
Bestellinformationen
Rof | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
Typ: AM---Intensitätsmodulator | Wellenlänge: 07---780nm 10---1060nm 13---1310nm 15---1550nm | Bandbreite: 10 GHz 20 GHz 40 GHz 50 GHz
| PD überwachen: PD---Mit PD | In-Out-Fasertyp: PP---PM/PM | Optischer Anschluss: FA---FC/APCFP---FC/PC SP---Anpassung |
R-AM-07-10G
Wellenlänge 710 nm 10 GHz Intensitätsmodulator
Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Einheit | ||||
Optische Parameter | |||||||||
Betriebswellenlänge | l | 760 | 780 | 800 | nm | ||||
Einfügedämpfung | IL | 4.5 | 5 | dB | |||||
Optische Rückflussdämpfung | ORL | -45 | dB | ||||||
Extinktionsverhältnis des Schalters @DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | |||||
Glasfaser | EingangHafen | PM780Faser (125/250μm) | |||||||
Ausgangsport | PM780Faser (125/250μm) | ||||||||
Glasfaserschnittstelle | FC/PC, FC/APC oder Anpassung | ||||||||
Elektrische Parameter | |||||||||
Betriebsbandbreite(-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | |||||
Halbwellenspannung Vpi | RF | @1KHz |
| 2.5 | 3 | V | |||
Voreingenommenheit | @1KHz |
| 3 | 4 | V | ||||
Elektrische Rückflussdämpfung | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
Eingangsimpedanz | RF | ZRF | 50 | W | |||||
Voreingenommenheit | ZVOREINGENOMMENHEIT | 1M | W | ||||||
Elektrische Schnittstelle | SMA(f) |
Grenzbedingungen
Parameter | Symbol | Einheit | Min | Typ | Max |
Optische Eingangsleistung | Pin,Max | dBm | 20 | ||
Eingangs-HF-Leistung | dBm | 28 | |||
Vorspannung | Vbias | V | -15 | 15 | |
Betriebstemperatur | Spitze | ℃ | -10 | 60 | |
Lagertemperatur | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
Luftfeuchtigkeit | RH | % | 5 | 90 |
S21-Kurve
&S11 Kurve
S21&s11-Kurven
Mechanisches Diagramm
HAFEN | Symbol | Notiz |
In | Optischer Eingangsanschluss | PM-Faser (125 μm/250 μm) |
Aus | Optischer Ausgangsanschluss | PM- und SMF-Option |
RF | HF-Eingangsanschluss | SMA(f) |
Voreingenommenheit | Bias-Kontrollanschluss | 1,2 Bias, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics bietet eine Produktlinie kommerzieller elektrooptischer Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Laser, optischer Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulation, Pulslaser, Lichtdetektoren, symmetrischer Fotodetektoren und Lasertreiber , Glasfaserverstärker, optischer Leistungsmesser, Breitbandlaser, abstimmbarer Laser, optischer Detektor, Laserdiodentreiber, Faserverstärker. Wir bieten auch viele spezielle Modulatoren zur individuellen Anpassung an, z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedrigem Vpi und extrem hohem Extinktionsverhältnis, die hauptsächlich in Universitäten und Instituten verwendet werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung hilfreich sein werden.