Rof Elektrooptischer Modulator 780 nm LiNbO3 Intensitätsmodulator 10G
Besonderheit
* Geringe Einfügungsdämpfung
* Hohe Bandbreite
* Niedrige Halbwellenspannung
* Anpassungsoption
 
 		     			Anwendung
⚫ ROF-Systeme
⚫ Quantenschlüsselverteilung
⚫ Lasersensorsysteme
⚫ Seitenbandmodulation
| Rof-AM-Serie | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
| Betriebswellenlänge | 780 nm | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm | 1550 nm | |||
| Bandbreite | 10 GHz | 10 GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10 GHz | 20 GHz | 40 GHz | 
| Einfügungsverlust | <5 dB | <5 dB | <5 dB | <5 dB | <4 dB | |||
| Extinktionsverhältnis @DC | >20 dB | >20 dB | >20 dB | >20 dB | >20 dB | |||
| VΠ @RF (1 kHz) | <3 V | <3 V | <4 V | <3,5 V | <6V | <5 V | ||
| VΠ @Voreingenommenheit | <3.5V | <3.5V | <5 V | <5 V | <8 V | <7 V | ||
Bestellinformationen
| Rof | AM | XX | XXG | XX | XX | XX | 
| Typ: AM --- Intensitätsmodulator | Wellenlänge: 07---780 nm 10---1060 nm 13---1310 nm 15---1550 nm | Bandbreite: 10 GHz 20 GHz 40 GHz 50 GHz 
 | PD überwachen: PD---Mit PD | Ein-/Ausgangsfasertyp: PP---PM/PM | Optischer Anschluss: FA---FC/APCFP---FC/PC SP---Anpassung | 
R-AM-07-10G
Wellenlänge 710 nm 10 GHz Intensitätsmodulator
| Parameter | Symbol | Mindest | Typ | Max | Einheit | ||||
| Optische Parameter | |||||||||
| Betriebswellenlänge | l | 760 | 780 | 800 | nm | ||||
| Einfügungsverlust | IL | 4.5 | 5 | dB | |||||
| Optische Rückflussdämpfung | ORL | -45 | dB | ||||||
| Schalterlöschverhältnis @DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | |||||
| Glasfaser | EingangHafen | PM780Faser (125/250μm) | |||||||
| Ausgangsanschluss | PM780Faser (125/250μm) | ||||||||
| Glasfaserschnittstelle | FC/PC, FC/APC oder Anpassung | ||||||||
| Elektrische Parameter | |||||||||
| Betriebsbandbreite(-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | |||||
| Halbwellenspannung Vpi | RF | @1KHz | 
 | 2.5 | 3 | V | |||
| Voreingenommenheit | @1KHz | 
 | 3 | 4 | V | ||||
| Elektrische Rückflussdämpfung | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Eingangsimpedanz | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Voreingenommenheit | ZVOREINGENOMMENHEIT | 1M | W | ||||||
| Elektrische Schnittstelle | SMA(f) | ||||||||
Randbedingungen
| Parameter | Symbol | Einheit | Mindest | Typ | Max | 
| Optische Eingangsleistung | Pin,Max | dBm | 20 | ||
| HF-Eingangsleistung | dBm | 28 | |||
| Vorspannung | Vbias | V | -15 | 15 | |
| Betriebstemperatur | Spitze | ℃ | -10 | 60 | |
| Lagertemperatur | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Luftfeuchtigkeit | RH | % | 5 | 90 | 
S21 Kurve
 
 		     			&S11 Kurve
 
 		     			S21&s11 Kurven
Mechanisches Diagramm
 
 		     			| HAFEN | Symbol | Notiz | 
| In | Optischer Eingangsanschluss | PM-Faser (125 μm/250 μm) | 
| Aus | Optischer Ausgangsanschluss | PM- und SMF-Option | 
| RF | HF-Eingangsanschluss | SMA(f) | 
| Voreingenommenheit | Bias-Steueranschluss | 1,2 Bias, 34-N/C | 
Rofea Optoelectronics bietet eine Produktlinie kommerzieller elektrooptischer Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulation, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Glasfaserverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Glasfaserverstärkern. Wir bieten außerdem viele spezielle Modulatoren zur individuellen Anpassung an, wie z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit ultraniedrigem VPI und ultrahohem Extinktionsverhältnis, die hauptsächlich in Universitäten und Instituten eingesetzt werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung hilfreich sein werden.





 
             

