ROF Silizium-Fotodetektor 2,5 GHz, hohe Bandbreite, feste Verstärkung, symmetrischer Fotodetektor
Besonderheit
lWellenlänge: 850/1064/1310/1550 nm
l3-dB-Bandbreite: 2,5 GHz
lGleichtaktunterdrückung: > 25 dB
lHohe Verstärkung
Anwendung
⚫Heterodyn-Detektion
⚫ Optische Verzögerungsmessung
⚫ Optisches Fasersensorsystem
⚫（OKT）
SS-OCT-Schaltplan
Parameter
Leistungsparameter BPR-2GHz
| Modell | R-BPR-2G-B-FC | R-BPR-2,5G-A1-FC | R-BPR-2,5G-A2-FC |
| spektraler Empfindlichkeitsbereich | 500–880 nm | 900-1400 nm | 1200-1700nm |
| Typische Wellenlänge | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm/1550 nm |
| Reaktionsfähigkeit | 0,45A/W@850nm | 0.7A/W@1064nm | 0,9A/W@1550nm |
| 3 dB Bandbreite | 50 kHz bis 2 GHz | 50 kHz bis 2,5 GHz | 50 kHz bis 2,5 GHz |
| Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) | >25dB (30dB typ.) | >25dB (30dB typ.) | >25dB (30dB typ.) |
| Verstärkung im hochohmigen Zustand | 6,5×103VW | 10.1×103VW | 14,5×103VW |
| Rauschspannung (Effektivwert) | ＜20 mVRMS | ＜6 mVRMS | ＜8 mVRMS |
| Maximale Ausgangsamplitude bei 50Ω | 5,5 Vpp | 5,5 Vpp | 5,5 Vpp |
| Beschädigung der optischen Leistung | 10 mW | ||
| Betriebstemperaturbereich | -20 bis +70℃ | ||
| Betriebsspannung | DC ±12 V(Ausgestattet mit einem geräuscharmen Netzteil) | ||
| Betriebsstrom | 350 mA | ||
| Eingangsanschluss | FC | ||
| Ausgangsanschluss | SMA | ||
| Ausgangsimpedanz | 50 Ohm | ||
| Ausgangskopplungsmethode | Wechselstromkopplung | ||
| Äußere Abmessungen (mm) | 78,5 mm×71 mm×25,7 mm | ||
Kurve
Charakteristische Kurve
Spektrale Antwortkurve Internes Schaltbild
Abmessungen (mm)
Über uns
Rofea Optoelectronics präsentiert eine breite Palette elektrooptischer Produkte, darunter Modulatoren, Fotodetektoren, Laserquellen, DFB-Laser, optische Verstärker, EDFAs, SLD-Laser, QPSK-Modulation, gepulste Laser, Fotodetektoren, symmetrische Fotodetektoren, Halbleiterlaser, Lasertreiber, Faserkoppler, Faserverstärker, optische Leistungsmesser, Breitbandlaser, abstimmbare Laser, optische Verzögerungsglieder, elektrooptische Modulatoren, Fotodetektoren, Laserdiodentreiber, Faserverstärker, Erbium-dotierte Faserverstärker und Quelllaser.
Wir bieten auch kundenspezifische Modulatoren an, darunter 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Pivot-Spannung (Vpi) und extrem hohem Extinktionsverhältnis, die speziell für Universitäten und Forschungsinstitute entwickelt wurden.
Diese Produkte zeichnen sich durch eine elektrooptische Bandbreite von bis zu 40 GHz, einen Wellenlängenbereich von 780 nm bis 2000 nm, geringe Einfügungsdämpfung, niedrige Spitzenspannung (Vp) und hohes PER aus und eignen sich daher für eine Vielzahl von analogen HF-Verbindungen und Hochgeschwindigkeitskommunikationsanwendungen.
Rofea Optoelectronics bietet eine breite Produktpalette an kommerziellen elektrooptischen Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulatoren, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Faseroptikverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Faserverstärkern. Darüber hinaus bieten wir zahlreiche kundenspezifische Modulatoren an, wie beispielsweise 1x4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Eingangsspannung (Vpi) und Modulatoren mit extrem hohem Extinktionsverhältnis, die vorwiegend in Universitäten und Forschungseinrichtungen eingesetzt werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung von Nutzen sein werden.
