Rof-Intensitätsmodulator, Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator, 40G TFLN-Modulator

Kurzbeschreibung:

Das Dünnschichtmaterial Lithiumniobat auf Isolator (LNOI) vereint die hervorragenden elektrooptischen Eigenschaften von Lithiumniobat-Bulkmaterialien und bietet damit eine neue Lösung für integrierbare, miniaturisierte und hocheffiziente elektrooptische Hochgeschwindigkeitsmodulatorchips. Wir haben einen breitbandigen, niedrigohmigen Dünnschicht-LiNbO₃-Modulator auf LNOI-Basis entwickelt. Unser Produkt zeichnet sich durch hohe Stabilität, geringe Einfügungsdämpfung und geringe Größe aus und ist damit herkömmlichen Lithiumniobat-Bulkmaterialmodulatoren überlegen. Es bietet vielversprechende Anwendungsmöglichkeiten in der optischen Hochgeschwindigkeitskommunikation und der Mikrowellenphotonik.


Produktdetails

Rofea Optoelectronics bietet optische und photonische elektrooptische Modulatoren an.

Produkt-Tags

Besonderheit

Hohe Bandbreite, geringe Verluste, niedrige Ansteuerspannung, kleine Baugröße, hohe Stabilität

 

Feld

Optische Hochgeschwindigkeitskommunikation, Mikrowellenphotonik, Radar usw.

Rof EOM Intensitätsmodulator 20G Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator TFLN-Modulator

Parameter

PAramämeter

Sym

Indikator

Einheit

Arbeitswellenlänge

λ

1530–1565

nm

Optische Einfügungsdämpfung

IL

≤ 5,5 (Typ 4,5)

dB

Aussterbeverhältnis

ER

≥ 25

dB

Optische Rückflussdämpfung

RL

≤ -30

dB

Maximale optische Eingangsleistung

Pin

≤ 200

mW

Elektrooptische Modulationsbandbreite (3dB, ab 2 GHz)

BW

≥ 40

GHz

HF-Halbwellenspannung bei 50 kHz

≤ 3,5

V

HF-Reflexion

S11

≤ -10

dB

Maximale HF-Eingangsleistung

Sin

≤ 25

dBm

Thermische Vorspannung Halbwellenleistung

50

mW

Thermische Vorspannung

UHeizung

< 8

V

Betriebstemperatur

TO

-55 bis 85

Lagertemperatur

TS

-55 bis 85

 

Bestellinformationen

 

Sym

DBeschreibung

Optionaler Parameter

λ

Arbeitswellenlänge C (~1550 nm)O (~1310 nm)

BW

3dB Bandbreite 40 (40 GHz)

PD

Überwachung von PD 1 (integriert), 0 (nicht integriert)

IF

Eingangsfaseroptik P (polarisationserhaltende Faser)

OF

Ausgangsfaseroptik P (polarisationserhaltende Faser), S (Standard-Einmodenfaser)

S

Halbwellenspannung S-Standard

Gehäusegröße und Pin-Definition

Pin der Definition:

STitch

FSalbung

RF

HF-Eingang, 1,85-mm-Buchse

A

Thermostatische Vorspannungselektrode (positiv und negativ)

B

Thermostatische Vorspannungselektrode

C

Thermische Einstellelektrode als Backup

D

Thermische Einstellelektrode als Backup

 

 

 


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  • Rofea Optoelectronics bietet eine breite Produktpalette an kommerziellen elektrooptischen Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulatoren, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Faseroptikverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Faserverstärkern. Darüber hinaus bieten wir zahlreiche kundenspezifische Modulatoren an, wie beispielsweise 1x4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Eingangsspannung (Vpi) und Modulatoren mit extrem hohem Extinktionsverhältnis, die vorwiegend in Universitäten und Forschungseinrichtungen eingesetzt werden.
    Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung von Nutzen sein werden.

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