ROF-Silizium-Fotodetektor mit einstellbarer Verstärkung
Besonderheit
l Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
l 3dB Bandbreite: bis zu 11 MHz
l Maximale Verstärkungseinstellung: 4,75×10⁶ V/A (hochohmige Last)
l Geringes Geräusch
l Räumlicher optischer Kopplungseingang, Faserkopplung optional
Anwendung
l Schwachlichterkennung
l Faseroptisches Sensorsystem
l Optische Weltraumkommunikation
Bestellinformationen
| Modell Parameter | ROF-PR-11M-B | ROF-PR-13M-A |
| Antwortfrequenz | DC-11MHz | DC-13MHz |
| Typ | Silizium (Si) | Indiumgalliumarsenid (InGaAs) |
| Lichtempfindlichkeit 1 | 320 nm bis 1100 nm | 900 nm bis 1700 nm |
| Lichtempfindlicher Bereich | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) | Ø1,0 mm (0,8 mm2 ) |
Hinweis 1: Ungefährer Wert; der tatsächliche Wellenlängenwert kann variieren.
Parameter
| Leistungsspezifikationen 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0 dB Einstellung | 40 dB Einstellung | ||
| Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 1,50 x 103V/A ±2% | Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 1,50 x 105V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 103V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 105V/A ±2% |
| 3dB Bandbreite 3 | 11 MHz | 3dB Bandbreite | 150.000 |
| Rauschen (RMS) | 400 µV | Rauschen (RMS) | 500 µV |
| Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) | Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) |
| 10 dB Einstellung | 50 dB Einstellung | ||
| Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 4,75 x 103V/A ±2% | Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 4,75 x 105V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 103V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 105V/A ±2% |
| 3dB Bandbreite | 1,4 MHz | 3dB Bandbreite | 50.000 |
| Rauschen (RMS) | 350 µV | Rauschen (RMS) | 520 µV |
| Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) | Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) |
| 20 dB Einstellung | 60 dB Einstellung | ||
| Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 1,50 x 104V/A ±2% | Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 1,50 x 106V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 104V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 106V/A ±2% |
| 3dB Bandbreite | 1,0 MHz | 3dB Bandbreite | 20.000 |
| Rauschen (RMS) | 380 µV | Rauschen (RMS) | 760 µV |
| Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) | Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) |
| 30 dB Einstellung | 70 dB Einstellung | ||
| Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 4,75 x 104V/A ±2% | Verstärkung (hoher Widerstand > 5 kΩ) | 4,75 x 106V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 104V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 106V/A ±2% |
| 3dB Bandbreite | 400.000 | 3dB Bandbreite | 10K |
| Rauschen (RMS) | 380 µV | Rauschen (RMS) | 1,43 mV |
| Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) | Voreingenommenheit | ±8 mV (typ.) ±20 mV (Max.) |
Anmerkung 2:ROFDer PR-11M-B verfügt über einen 50-Ω-Abschlusswiderstand (d. h. er ist in Reihe mit dem Verstärkerausgang geschaltet). Dieser bildet mit jeder Lastimpedanz einen Spannungsteiler (z. B. teilt eine 50-Ω-Last das Signal in zwei Hälften).
Hinweis 3: Führen Sie den Test bei einer Wellenlänge von 850 nm durch. Bei Wellenlängen im nahen Infrarotbereich verlängert sich die Anstiegszeit der Fotodiodenkomponenten, was die effektive Bandbreite des Verstärkungsdetektors einschränken kann.
Allgemeine Parameter
| Projekt | sym | Wert |
| Detektortyp | - | Si |
| Lichtempfindliche Oberfläche | - | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) |
| Peakwellenlänge | λp | 960 nm (Typ.) |
| Spitzenreaktion | ( λ p) | 0,72 A/W (typ.) |
| Ausgangsimpedanz | - | 50 Ω |
| Maximale Ausgangsstromamplitude | Imax | 100 mA |
| Maximale Ausgangsspannungsamplitude | Vmax | 10,00 V bei hoher Impedanz, 5,00 V bei 50 Ω Last |
| Lastbereich | - | >50 Ω |
| Bereich der Verstärkungseinstellung | - | 0 dB bis 70 dB |
| Gewinnschritt | - | 10 dB |
| Netzschalter | - | Seite |
| Verstärkungsschalter | - | 8. Gang |
| Ausgabe | - | SMA (DC-Kopplung) |
| Produktabmessungen | - | 66,6 mm × 52,2 mm × 22,4 mm |
| PD-Oberflächentiefe 4 | - | 6,1 mm |
| Gewicht (ohne Zubehör) | - | 70 g |
| Zubehör | - | SM1T1-Kupplung, SM1RR-Sicherungsring |
| Stromversorgung | - | AC/DC ± 12V Adapter |
| Leistung des Netzteils | - | 6 W 100 V/120 V/230 V, 50–60 Hz |
Anmerkung 4: Die ungefähre Höhe zwischen der Oberfläche des Gehäuses und der Oberfläche der Fotodiode kann in der Praxis zu Installationsfehlern führen.
Grenzbedingung
| Parameter | sym | Einheit | Min | Typisch | Max |
| Optische Eingangsleistung | Stift | mW | - | - | 25 |
| Betriebsspannung | Vop | V | ±10,8 | ±12 | ±13,2 |
| Betriebstemperatur | Spitze | °C | -10 | - | 60 |
| Lagertemperatur | Tst | °C | -40 | - | 85 |
| Luftfeuchtigkeit | RH | % | 5 | - | 90 |
Kurve
Charakteristische Kurve
ROF-PR-11M-B Empfindlichkeits-Antwortdiagramm
Verpackungsgröße (mm)
Über uns
Rofea Optoelectronics präsentiert eine breite Palette elektrooptischer Produkte, darunter Modulatoren, Fotodetektoren, Laserquellen, DFB-Laser, optische Verstärker, EDFAs, SLD-Laser, QPSK-Modulation, gepulste Laser, Fotodetektoren, symmetrische Fotodetektoren, Halbleiterlaser, Lasertreiber, Faserkoppler, Faserverstärker, optische Leistungsmesser, Breitbandlaser, abstimmbare Laser, optische Verzögerungsglieder, elektrooptische Modulatoren, Fotodetektoren, Laserdiodentreiber, Faserverstärker, Erbium-dotierte Faserverstärker und Quelllaser.
Wir bieten auch kundenspezifische Modulatoren an, darunter 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Pivot-Spannung (Vpi) und extrem hohem Extinktionsverhältnis, die speziell für Universitäten und Forschungsinstitute entwickelt wurden.
Diese Produkte zeichnen sich durch eine elektrooptische Bandbreite von bis zu 40 GHz, einen Wellenlängenbereich von 780 nm bis 2000 nm, geringe Einfügungsdämpfung, niedrige Spitzenspannung (Vp) und hohes PER aus und eignen sich daher für eine Vielzahl von analogen HF-Verbindungen und Hochgeschwindigkeitskommunikationsanwendungen.
Rofea Optoelectronics bietet eine breite Produktpalette an kommerziellen elektrooptischen Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Lasern, optischen Verstärkern, EDFA, SLD-Lasern, QPSK-Modulatoren, Pulslasern, Lichtdetektoren, symmetrischen Fotodetektoren, Lasertreibern, Faseroptikverstärkern, optischen Leistungsmessern, Breitbandlasern, abstimmbaren Lasern, optischen Detektoren, Laserdiodentreibern und Faserverstärkern. Darüber hinaus bieten wir zahlreiche kundenspezifische Modulatoren an, wie beispielsweise 1x4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedriger Eingangsspannung (Vpi) und Modulatoren mit extrem hohem Extinktionsverhältnis, die vorwiegend in Universitäten und Forschungseinrichtungen eingesetzt werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung von Nutzen sein werden.
