Rof EOM 1550 nm Intensitätsmodulator 2,5 G Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulator
Besonderheit
* Geringe Einfügedämpfung
* Hohe Bandbreite
* Niedrige Halbwellenspannung
* Anpassungsoption
Anwendung
⚫ ROF-Systeme
⚫ Quantenschlüsselverteilung
⚫ Laser-Sensorsysteme
⚫ Seitenbandmodulation
Wellenlänge
⚫750 nm
⚫850 nm
⚫ 1064 nm
⚫ 1310 nm
⚫ 1550 nm
Bandbreite
⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz
R-AM-15-2,5G
| Parameter | Symbol | Min | Typ | Max | Einheit | ||||
| Optische Parameter | |||||||||
| BetriebWellenlänge | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| Einfügedämpfung | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| Optische Rückflussdämpfung | ORL | -45 | dB | ||||||
| Extinktionsverhältnis des Schalters @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| Dynamisches Extinktionsverhältnis | DER | 13 | dB | ||||||
| Glasfaser | EingangHafen | Panda PM Fujikura SM | |||||||
| AusgabeHafen | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
| Glasfaserschnittstelle | FC/PC, FC/APC Oder Benutzer zur Angabe | ||||||||
| Elektrische Parameter | |||||||||
| BetriebBandbreite（-3dB） | S21 | 2.5 | 3 | GHz | |||||
| Halbwellenspannung Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| Bias | @Voreingenommenheit |
| 6 | 7 | V | ||||
| ElektrischalRückflussverlust | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Eingangsimpedanz | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Voreingenommenheit | ZVOREINGENOMMENHEIT | 1M | W | ||||||
| Elektrische Schnittstelle | SMA(f) | ||||||||
Grenzbedingungen
| Parameter | Symbol | Einheit | Min | Typ | Max |
| Optische Eingangsleistung | Pin,Max | dBm | 20 | ||
| IHF-Eingangsleistung | dBm | 28 | |||
| Vorspannung | Vbias | V | -15 | 15 | |
| BetriebTemperatur | Spitze | ℃ | -10 | 60 | |
| Lagertemperatur | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Luftfeuchtigkeit | RH | % | 5 | 90 |
S21-Kurve
&S11 Kurve
S21&s11-Kurven
Mechanisches Diagramm
| HAFEN | Symbol | Notiz |
| In | OOptischer Eingangsanschluss | PM-Faser (125 μm/250 μm) |
| Aus | OOptischer Ausgangsanschluss | PM Faser(125μm/250μm) |
| RF | RF-Eingangsport | SMA(f)/ K(f) / V(f) |
| Voreingenommenheit | Bias-Kontrollanschluss | 1,2 Voreingenommenheit, 3-PD-Kathode, 4-PD-Anode |
Rofea Optoelectronics bietet eine Produktlinie kommerzieller elektrooptischer Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitätsmodulatoren, Fotodetektoren, Laserlichtquellen, DFB-Laser, optischer Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulation, Pulslaser, Lichtdetektoren, symmetrischer Fotodetektoren und Lasertreiber , Glasfaserverstärker, optischer Leistungsmesser, Breitbandlaser, abstimmbarer Laser, optischer Detektor, Laserdiodentreiber, Faserverstärker. Wir bieten auch viele spezielle Modulatoren zur individuellen Anpassung an, z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mit extrem niedrigem Vpi und extrem hohem Extinktionsverhältnis, die hauptsächlich in Universitäten und Instituten verwendet werden.
Wir hoffen, dass unsere Produkte Ihnen und Ihrer Forschung hilfreich sein werden.
